سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

فاطمه دهقان نیری – آزمایشگاهی تحقیقاتی لایه هاینازک گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه
ابراهیم اصل سلیمانی –
جمشید صباغ زاده –
شمس الدین مهاجرزاده –

چکیده:

دراین مقاله رشد نانوسیم های اکسید روی ZnO) دردمای پایین به روش رسوب حمام شیمیایی CBD برروی زیرلایه های سیلیکون تحت شرایط مختلف مورد بحث و بررسی قرارگرفته است نتایج نشان داد که تحت شرایط مناسبی از نظر دمایی و غلظت محلول نانوسیم های اکسید روی ZnO) با ساختار شش ضلعی wurtzite کاملا چگال و عمودی باید یکنواخت برروی زیرلایه رشد کرده اند تاثیر غلظت محلول دما و زمان برروی مورفولوژی وابعاد نانوسیم ها بطور سیستماتیک مورد بررسی قرارگرفت مکانیزم رشد متاثر از پارامترهای قابل کنترل برمحلول طی فرایند شیمیایی رشد نانوسیم ها مورد بررسی قرارگرفته است تاثیر پارامتر زمان رشد برروی خواص لومینسانس نانوسیم های اکسید روی که درشرایط بهینه رشد داده شده اند مورد بررسی قرارگرفته اندمطالعه فتولومینسانس نمونه ها وجود نقایص ساختاری را نشان میدهد با این وجود نانوسیم های اکسید روی کهدردمای پایین و به روش بسیار آسان رشد یافته اند از کیفیت اپتیکی بسیار خوبی برخوردار هستند.