سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۱۶

نویسنده(ها):

کریم سلطان زاده – دانشجوی کارشناسی ارشد گروه برق
علیرضا توکلی – استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
پریسا بزرگزادارباب – گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحدنجف اباد

چکیده:

مدارهای مغناطیسی به میزان وسیعی درمبدلهای کلیدزنی الکترونیک قدرت همچون مبدلهای AC / DC و DC/DC مورد استفاده قرار میگیرند دراین مدارها افزایش فرکانس کلیدزنی یکمزیت محسوب می شود زیرا با افزایش فرکانس می توان سایز قسمتهای مغناطیسی را کاهش داد که این موضوع از نظر اقتصادی بسیار پراهمیت میباشد اما با افزایش فرکانس حجم تلفات درهسته های مغناطیسی مرسوم و سیم پیچی ها افزایش می یابد که در واقع این موضوع مهمترین محدودیت در افزایش فرکانس کلیدزنی است از دیگر محدودیت های افزایش فرکانس افزایش میزان پارازیت های مغناطیسی می باشد درترانسفورماتورها افزایش فرکانس باعث افزایش اندوکتانس نشتی و افزایش خازن معادل بین سیم پیچی ها می شود این پارازیت باعث ایجاد ولتاژهای ناخواسته و جریانهای نشتی در ترانسفورماتور های موجوددر ساختار مبدل می شود که تلفات را افزایش داده و کاهش راندمان را نتیجه می دهنددراین مقاله پس از بررسی وژگیهای خاص هسته های نانوساختار بطور خاص به بررسی نقش ترانسفورماتورهای مونتاژ شده با هسته های نانوساختار درکاهش تلفات و کاهش پارازیت های مغناطیسی در صورت جایگزینی با ترانسفورماتورهای مرسوم دریک مبدلهای الکترونیک قدرت پرداخته می شود.