سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

رسول بخشی – دانشگاه تهران، تهران، ایران
بهجت فروزنده –

چکیده:

در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره یSOI-LDMOS می پردازیم. . طول بهینه ی پنجره سیلیسیمی را بدست آورده وسپس با استفاده از تکنیک ایجاد پنجره سیلیسیمی در اکسید مدفون، نشان خواهیم داد که اثر خودگرمایی به میزان ۱۲/۳۴ درصد کاهش می یابد و نشان می دهیم و این مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد. همچنین در ادامهبه تاثیر استفاده ازSi3N4به جایSio2در لایه مدفون بر روی اثر خودگرمایی خواهیم پرداخت.