سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین همایش ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

اصغر شاهسوندی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق
حاتم محمدی کامروا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق
الهه فتوحی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، فسا، ایران، گروه برق

چکیده:

این مقاله یک یکسوکننده نیم موج با دقت بالا در مد جریان خروجی دوگانه با استفاده از تکنولوژی ساختcmos 180 نانومتر ارائه می دهد که باولتاژ پایین ۱± کار می کند. در مدارات آشکارساز نیاز به توان مصرفی پایین و ایعاد تراشه کوچک مورد نیاز می باشد. استفاده از تکنولوژی نانو ما رابه این امر مهم می رساند. همه ترانزیستورها در ناحیه اشباع کار می کنند. این مدار سیگنال سینوسی ورودی را دریافت می کند و سیگنال نیم موج خروجی را در فرکانس بالا و مد جریان یکسو می کند. ساختار اصلی این مدار متشکل از مدار معکوسکنندهcmos دو منبع جریان آیینهای میباشد. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICEمورد تائید است. مدار پیشنهادی دارای پهنای باند۵۰MHZمی باشد جریان ورودی درحدود۱۰۰μAتوان مصرفی ۲۱ پیکووات محاسبه شده است.