سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

بهمن نباتی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
طاهره فنایی شیخ الاسلامی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
محمدعلی منصوری بیرجندی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
مرتضی نوراللهی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

چکیده:

سلول های خورشیدی بر پایه ی سیلیکون بلوری بدلیل بازده زیاد و سادگی طراحی و ساخت، همچنان از پرکاربردترین روش های ساخت سلول های خورشیدی می باشند. مطالعات روی این سلول ها در جهت افزایش بازده آنها، موضوع بسیاری از تحقیقات روز است. سلول های سیلیکونی بلوری نوع n با سطح پشت غیر فعال و با اتصال های نقطه ای بدلیل عدم وجود پیچیدگی های بورون- اکسیژن بازدهی زیادی را به اثبات رسانیده اند. در این مقاله شبیه سازی سلول خورشیدی سیلیکونی بر اساس غیر فعال سازی لایه ی پشتی آن بوسیله ی لایه ی نازکی از سیلیکون کربید بی شکل (a-Sic) آلاییده (لایه ی PassDop) انجام شده و مشخصه های آن محاسبه شده و مورد مقایسه و بررسی قرار گرفته است. نتیج شبیه سازی نشان می دهد که فرآیند غیر فعال سازی مؤثر پشت علاوه بر اینکه باعث تشکیل اتصالی با کیفیت بهتر شده، پارامترهای سلول را نیز بهبود داده است. برای چنین سلولی ضریب پرشدگی (FF=83/02%)، بازدهی (۲۱/۵۳%=η) و بازتابندگی ۹۱% محاسبه شده است که نسبت به سلول بدون لایه a-SiC افزایش خوبی را نشان می دهد. همچنین سرعت بازترکیب سطحی بین نقاط اتصال به عنوان یک پارامتر کلیدی در فرآیند انتقال حامل های تولید شده به خارج از سلول به کمتر از ۲۰۰۰cm/s رسیده است.