سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

زهرا خورشیدی میانایی – گروه فیزیک دانشگاه مازندران بابلسر
علی بهاری –
رضا قلی پور –
طیبه تقی پورلمراسکی – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری

چکیده:

دراین کار پژوهشی درپی یافتن دی الکتریکی با ثابت دی الکتریک و دمای بلوری بالا برای گیت حافظه های دائمی NVM آینده هستیم به روش سل – ژل نانوذره های اکسید لانتان تزریق شده با روی را سنتز کردیم برای مطالعه ویژگیهای ساختار ماده ی به دست آمده از تکنیک پراش اشعه ایکس XRD استفاده کردیم برای بدست آوردن اندازه ی ذرات از تکنیک X-powder بهره گرفتیم همچنین برای بررسی خواص سطح از میکروسکوپ های نیروی اتمی AFM و الکترون روبشی SEM استفاده کردیم نتایج بدست آمده نشان داده اند که افزودن روی به اکسیدلانتان ساختار آن را به شدت آمورف می کند و از آنجا که اکسید روی نیز دی الکتریک خوبی به شمار می آید خاصیت دی الکتریکی اکسید لانتان را نیز تقویت می کندو باعث می شود دمای بلوری آن بالا رود.