سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس انتقال حرارت و جرم ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

کامل میلانی شیروان – گروه مکانیک،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان
طاهره فنایی شیخ الاسلامی – گروه برق و الکترونیک،دانشکده برق و کامپیوتر،دانشگاه سیستان و بلوچست
امین بهزادمهر – گروه مکانیک،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان
حسن آتشی – گروه شیمی،دانشکده مهندسی شهید نیکبخت،دانشگاه سیستان و بلوچستان

چکیده:

لایه نشانی شیمیایی بخار بکمک پلاسما یکی ازپرکاربردترین روش های لایه نشانی است که معمولا دردماهای کمتراز ۳۵۰درجه سانتیگراد صورت میگیرد دراینروش بجای انرژی گرمایی از ذرات انرژی دار برای انجام واکنش استفاده می شود تالایه نشانی بتوانددردمای پایین و با سرعت قابل قبولی صورتگیرد دراین سیستم توان الکتریکی با ولتاژ نسبتا بالا و درفشارپایین برای یونیزه کردن گاز فراهم می شود که باعث شکستن مولکولهایگاز به الکترونها و یونها می شود درمقاله حاضر لایه نشانی فیلم نازک سیلیکن Si درراکتور PECVD شبیه سازی شده و فرایند تشکیل SI روی زیرلایه مورد بحث و بررسی قرارگرفته است ورودی راکتور گاز سیلان SiH4) بهعنوان گاز اصلی واکنش دهنده می باشد که محیط پلاسما را ایجاد م یکند دراین شبیه سازی محیط گازی را محیطی پیوسته جریان گاز را جریانی آرام و سرعت ورودی گاز را برابربا ۰/۱ متر برثانیه فرض کردها یمهمچنین ازاثرات تابش صرفنظر نموده و گازها را درمحیط پلاسما ایده آل درنظر میگیریم