سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهاردهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

مصطفی عصاره – دانشگاه آزاد اسلامی ماهشهر
رضا دلخاک – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر
الهه معتمدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر

چکیده:

مطالعات نظری نشان می دهد که اکسیدگِرافن به طور غیر عادی دارای هدایت حرارتی بالایی می باشد. با توجه به وزن می تواند جایگذین مناسبی ˓…. اکسید مس و ˓ مولوکلی بسیار کم این ماده در مقایسه با مواد اکسید فلزی نظیر اکسیدآلومینیومبرای حل مسئله پایداری نانوسیال در مبدلهای حرارتی جهت افزایش انتقال حرارت باشد. در این تحقیق سنتز نانو ذره اکسیدگِرافن از طریق واکنش اکسید از پرمنگنات پتاسیم به عنوان ماده اکسنده جهت اکسیداسیون گرافیت استفاده می شود. بر اساس تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشیSEMو میکروسکوپ نیروی اتمیAFM که از نمونه سنتزی گرفتهشد، مشخص شده که ضخامت لایه های اکسید گِرافن سنتزشده کمتر از ۲ نانومتر است. همچنین تصاویر AFM و SEM بدست آمده گویای این مطلب است که نمونه بدست آمده سطحی کاملاً صاف، یکنواخت و لایه ای دارد