سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

کریم سلطان زاده – گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مجید دهقانی –
حسین خلیلیان – دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده:

ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده IGBT هنگامیکه به عنوان کلیدقدرت درمدارات سوییچینگ استفاده می شود باید درنواحی قطع و اشباع خودکار کند تابه حال دو مدل برای IGBT جهت استفاده درنرم افزارPSPICE معرفی شده که عبارتنداز مدل رفتاری و مدل فیزیکی استخراج پارامترهای سوییچینگ از این مدلها معمولا ساده نیست دراین مقاله مدلساده ای ارایه شده که ترکیبی از دو مدل قبلی است و مهندسین می توانند به راحتی و با استفاده از اطلاعات سازندگان و پارامترهای داده شده ازطرف انها ازمدل هدف به عنوان کلید قدرت IGBT درمدارات سوییچینگ استفاده کنند این مدل جهت توصیف شرایط کلیدزنی IGBT ازیک کلید کنترل شده با ولتاژ به منظور مدلسازی ماسفت داخلی دو خازن تحت عنوان خازن های پارازیتی و یک دیود موازی معکوس تشکیل شده است برخلاف دو مدل قبلی شبیه سازی مدل حاضر توسط PSPICE به محاسبات عددی بالایی نیاز ندارد دراین مقاله پس از معرفی و بیان اصول طراحی مدل هدف به شبیه سازی آن توسط مدار راه انداز خواهیم پرداخت و درنهایت جهت اثبات ادعاهای خود از آن برای شبیه سازی یک مبدل باک رزونانسی استفاده می شود.