سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

محسن فلاح – دانشگاه علم و صنعت ایران
فرخ حجت کاشانی –
سیدحسین محسنی ارمکی –

چکیده:

در این مقاله یک روش تحلیلی دقیق و مفید برای استخراج خواص الکترومغناطیسی سطوح امپدانسی مصنوعی مورد بررسی قرارمی گیرد. در این مقاله نشان داده شده است که اگر این سطوح تحت تابش مایل امواج صفحه ای( منتشر شونده یا میرا شونده) با پلاریزاسیونهایTM و TEبه عنوان سیگنال های تست) قرار گیرند میتوان با محاسبه امپدانس سطحی و ضریب انعکاس سطح ، رفتار الکترومغناطیسی آنها مثل باند های EBG و ۳ AMC و سایر خواص الکترومغناطیسی ساختار را بدست آورد. خاصیت AMC این سطوح به کمک تابش امواج صفحه ای منتشر شونده به این ساختارها ومحاسبه فاز ضریب انعکاس و خاصیتEBG آنها به کمک تابش امواج صفحه ای میرا شونده به آنهاومحاسبه قطب ها( نقاط تکین )ضریب انعکاس به طور تحلیلی قابل استخراج می باشند. روش تحلیلی ارائه شده روی چند ساختار امپدانسی مصنوعی مثل: دی الکتریک زمین شده ۴ ، دی الکتریک زمین شده با لتیس متناوبی از پین های فلزی که درون آن کاشته شده اند ۵ ( محیطسیمی WM) و دی الکتریک زمین شده که روی آن آرایه ای متناوب از پچ های فلزی قرار دارند ۷ اعمال شده وشبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی صحت نتایج روش تحلیلی را مورد تایید قرار داده اند