سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

امین حیدری – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محمد عروتی نیا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محمد بهاروند – دانشگاه آزاد اسلامی واحد خرم آباد

چکیده:

مدلسازی ادوات مقیاس نانو به منظور فراهم نمودن بدعتی جدید از ادوات MOS در جهت درک بهتر محدودیت های ناشی از فرایندهای مقیاس گذاری مورد نیاز است دراین مقاله با استفاده از یک مدل توده مداری ساخته شده در شبیه سازی مداری HSPICE اثرات ناشی از جریان های نشتی ایجاد شده توسط مقیاس گذاری اکسید گیت روی عملکرد مداری و توان مصرفی وارونگر CMOS نشان داده شده است.