سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

نفیسه السادات قریب – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
غلامرضا عبائیانی – پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک
علیرضا کاشانی نیا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز

چکیده:

در این مقاله، آشکارساز حلقوی تک حامل رونده p-Ge/i-Si/n-Siطراحی و ارائه می شود. الگوی ارائه شده برای ساختارp-Ge/i-Si/n-SiMR-UTC-PDمتشکل از الگوهای ساختار آشکارساز تک حامل روندهp-Ge/i-Si/n-Si و ساختار موجبر حلقوی تزویج شده با موجبر مستقیم است. پاسخ نوری آشکارساز p-Ge/i-Si/n-Si MR-UTC-PD و مشخصه های عملکردی آن از قبیل پاسخ فرکانسی و بازده کوانتومی با استفاده از مدل رانشی -نفوذی محاسبه می شود. نتایج ارائه شده نشان می دهد که با استفاده از این آشکارساز سیلیکنی جدید، چالش موجود در بهبودهمزمان بازده و عرض باند در گستره وسیعی از عرض باند برطرف می شود، بگونه ای که در فرکانسهای چند صد گیگاهرتز، بازده کوانتومی بیشتر از ۰٫۹۵ قابل دستیابی است.