سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمود آل شمس – عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
سید مصطفی بیژنی – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
ابوالفضل امیری – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر
جهان بخش دهقانی – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی بوشهر

چکیده:

تقویت کننده تفاضلی CMOS با بار فعال در وضعیت تک خروجی، یکی از گسترده ترین بلوک های ساختاری آنالوگ در مدارهای سیگنال ترکیبی، برای برنامه های پردازش سیگنال است. ابداع مدار مجتمع، زوج تفاضلی را به واحدی پرکاربرد در فناوری MOS تبدیل کرد. در این مقاله از مفروضات ساده ای که در تجزیه و تحلیل مدارات مورد استفاده قرار می گیرد ابتکار عمل گرفته و رویکرد جدیدی برای تجزیه و تحلیل مدار، با توجه به غیر ایدهآل بودن آن، بیان می کند. تأثیر اثرات خازن خود ترانزیستور و خازن های بار با تحلیل تقویت کننده ها در فرکانس بالا مشخص می شود. به دلیل تشکیل مسیرهای اضافی از ورودی ها به خروجی های مدار تفاضلی و وجود صفر و قطب های متفاوت در هر مسیر به کارگیری مدار در سرعت های بالا را محدود می کند.