سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

احسان عیدیان – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مرتضی تائب جولا – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد سروش – استادیار گروه الکترونیک دانشگاه شهید چمران هواز

چکیده:

در این مقاله با استفاده از روش مؤنت کارلو دسته جمعی یک مدل (+)-n-(+)i-n از جنس GaAs را شبیه سازی می کنیم. با تکرار پروسه رانش و پراکندگی و حل معادله پواستون توزیع پتانسیل افزاره را محاسبه می کنیم. برای حرکت الکترونها دو دره در نظر می گیریم و پراکندگی ناشی از فونونها و ناخالصی را نیز لحاظ می کنیم. نتایج بدست آمده را با یک مرجع معتبر مقایسه می کنیم. همچنین توزیع مکانی انرژی و چگالی الکترونها در نقاط مختلف افزاره را نیز شبیه سازی می کنیم.