سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

صبا رضایی – دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر،گروه مهندسی برق
اشکان پاشامهر – دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر،گروه مهندسی برق
حامد علیپوربنایی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز گروه مهندسی برق،تبریز،ایران

چکیده:

در این مقاله نوعی از فیلترهای دراپ)چکه( در کانال را که به شکلT هستند، در فضای دوبعدی یک ساختار کریستال فوتونیکی مورد بررسی قرار میدهیم که در آن از حلقه های تشدید استفاده شده است.به منظور افزایش دامنه ی مشخصه انتقالی نرمالیزهشده ،در ساختار حلقه تشدید تغییراتی را انجام داده ایم.با تفییر برخی از مشخصات ساختار، از جمله شعاع و ضریب شکست اثر آن در طول موج خروجی را مورد تحلیل قرار داده ایم.در حالت دراپ توان منتقل شده به موجبر باس و موجبر دراپ توسط روشFDTDبالای ۱۸ درصد بدست آمده است