سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

مریم نیری – عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی یزد
مهدیه نیری – عضو باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحدی زد
زینب السادات مظفری – عضو باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحدی زد

چکیده:

در دهه های اخیر فناوری الکترونیک حالت جامد توسعه چشمگیری داشته است سیلیسیم همواره بخشعمده صنایع نیمههادی را به خود اختصاص داده است در میان فناوریهای مختلف مبتنی بر سیلیسیم فناوری SOI از جایگاه ویژه ای برخوردار بوده است دراین فناوری یک لایه نازک اکسید مدفون بر روی ویفر سیلیسیمی نشانده می شود و سپس یک لایه سیلیسیمی نازک و یا ضخیم برروی آن قرار میگیرد دو روشاساسی پیوند ویفر و SIMOX برای ساخت SOI وجو د دارد البته ویفرهای ساخته شده به روش پیوند ویفرکیفیت بالاتری نسبت به SIMOX دارند به خاطر وجود مزایایی که ساختار SOI نسبت به SI دارد این ساختار برای ساخت مدارات مجتمع استفاده می شود.