سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

مهلا محمدمیرزائی – دانشجوی کارشناسی ارشد ،معماری سیست های کامپیوتری،دانشگاه علو و تحقی
شیرین عباسی – دانشجوی کارشناسی ارشد ،نر افزار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
سحر یزدانپناه – دانشجوی کارشناسی ارشد ، هوش م نوعی، دانشگاه علو تحقیقات کرمان
پیمان کشاورزیان – عضو هیأت علمی دانشکده کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان

چکیده:

این مقاله عملیات ریاضی ،جمع و ضرب در منطق سه ارزشی گالوا را با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی در تکنولوژی نانو لوله های کربنی ارائه می دهد.منطق سه ارزشی اهمیت خاصی در میان منطق های چند ارزشی دارد به طوریکه بیشتر منطق های چندارزشی به نوعیبسط یافته ی منطق سه ارزشی می باشند.علاوه بر اینکه استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی در تکنولوژی نانو لوله های کربنی باعث بهبود و افزایش کارایی مدارات سه ارزشی گالوا می شود.در این مقاله یک تکنیک طراحی جدید برای گیت های منطق سه ارزشی برمبنای ترانزیستورهای اثرمیدانی در تکنولوژی نانو لوله ها ی کربنی استفاده می شود که در مقایسه با طراحی های موجود با استفاده از مقاومت ،کارایی مدارات مذکور را به طور چشمگیری افزایش می دهد.نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزارHSPICE یک بهبود اساسی در توان مصرفی و تاخیر و حاصل ضرب توان در تاخیرpdp( را نشان می دهد.