سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

ابوالفضل امیری – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق و الکترونیک ، بوشهر ، ایران
سیدمصطفی بیژنی –
سیدعبدالهادی موسوی –

چکیده:

در این مقاله ما به طراحی و شبیه سازی سوئیچRF MEMSبا تحریک الکترواستاتیکی می پردازیم و از آن برای استفاده در کاربردهای مخابراتی استفاده می کنیم . شیفت دهنده های فاز در رادارهای آرایه فازی مورد استفاده قرار می گیرند .نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طول کشش در هر تعویض کننده فاز ۰۷ نانومتر در ولتاژ اعمالی ۹۷۷ ولت است . برای سوئیچ کردن نیاز به استفاده از پانزده تعویض کننده فاز بصورت اتصال آبشاری داریم . همچنین روش هایی برای کاهش ولتاژPull-in سوئیچ در تحریک الکترواستاتیکی بیان می گردد . از سوئیچ هایRF MEMS درکاربردهای نظامی و دفاعی نیز استفاده می شود