سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

میرعلی قاسمی – دانشجوی کارشناسی ارشد، اروه برق، دانشکدۀ فنی و مهندسی
حامد علیپوربنایی – گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز، تبری

چکیده:

در این مقاله،به طراحی و شبیهسازی فیلتر تمام نوری مبتنی بر کریستال فوتونیکی تک بعدی،توسط سیلیکون و ژرمانیوممیپردازیم. همچنین تاثیر ناراستیو هموارسازی پروفایل ضریب شکست را، بر مشخصۀ فرکانسی فیلتر، مطالعه کرده و نشانخواهیم داد که، با جایگزینی ناراستیها در مکانهای مناسب از ساختار طراحی شده، پهنای باند و فرکانس مرکزی دستخوش تغییراتی میشوند، و با توجه به کاربردی که از فیلتر مدنظر داریم میتوان پارامترهای آنرا تنظیم نمود. همچنین بررسی خواهیم کرد، که عرض لایهها بر روی پهنای باند فیلتر چه تاثیری خواهند داشت. به همین منظور با استفاده ازروش تحلیل ماتریس انتقال، به بررسی پاسخ فرکانسی میپردازیم