سال انتشار: ۱۳۸۰

محل انتشار: چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

حجت اله حمیدی – دانشگاه علم وصنعت ایران
حمیدرضا صوفی –
علی وفایی –

چکیده:

هدف از این گزارش طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم آرسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE می باشد لایه گالیم آرسناید رشد داده شده به فرم چهارپر Clover leaf شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرارگرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است در نهایت با اندازه گیری های انجام شده حساسیت جریانی S1 اینحسگر ۷٫۳A/VT و غلظت الکترونهای لایه رشد داده شده ۵٫۶۷×۱۰ ۱۷cm-3 و قابلیت تحرک الکترونها موبیلیته ۳۲۷۴cm2/V.S بدست آورده شده است.