سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

محمدرضا بهروزی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران

چکیده:

دراین مقاله طراحی و تحلیل یک سوئیچ خازنی RF MEMS موازی کم تلف بروی موجبر هم صفحه درباند فرکانسی ۶۰-۴۰( GHz V ارایه شده است مکانیزم تحریک این سوئیچ بصورت الکترواستاتیکی است ابتدا موجبر هم صفحه برای داشتن امپدانس مشخصه ۵۰ اهم طراحی شده سپس سوئیچ موردنظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن ابتدا توسط نرم افزار CoventorWare سوئیچ تحلیل الکترومکانیکی و گذرا شده و ولتاژ پایین کشنده و زمان سوئیچینگ آن بدست آمده درادامه سوئیچ دردو حالت روشن و خاموش به کمک مدلسازی درنرم افزار HFSS تحلیل موجی شده و پاارمترهای مهم یک سوئیچ ازجملهتلفات بازگشتی و تلفات داخلی درحالت روشن و ایزولاسیون درحالت خاموش برای باندفرکانسی V استخراج گردیدهاست دراین مقاله نشان داده شده که سوئیچ طراحی شده دارای تلفات پایین ایزولاسیون بالا و تلفات بازگشتی بسیارناچیز درباندفرکانسی V می باشد.