سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

زهرا قانع فشتالی – دانشگاه گیلان، دانشکده فنی، گروه مهندسی برق
ماهرخ مقصودی – دانشگاه گیلان، دانشکده فنی، گروه مهندسی برق
رضا ابراهیمی آتانی – دانشگاه گیلان، دانشکده فنی، گروه مهندسی کامپیوتر
مهرگان مهدوی – دانشگاه گیلان، دانشکده فنی، گروه مهندسی کامپیوتر

چکیده:

در این مقاله یک مخلوط کننده ی خیلی توان پایین و ولتژ پایین مبتنی بر عملکرد ترانزیستورهای MOSFET در ناحیه ی زیر آستانه (subthreshold) توصیف شده است. با استفاده از مزیت های ناحیه ی کاری زیر آستانه و با وجود ولتاژ منبع تغذیه ی پایین، این مخلوط کننده می تواند به عملکرد نسبتاً مطلوبی دسترسی یابد. نتایج شبیه سازی مخلوط کننده ی مورد نظر در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS نشان می -دهد که بهره ی تبدیل مخلوط کننده برابر ۷/۹۳dB ، عدد نویز باند جانبی دو طرفه (DSB NF) برابر با ۱۳/۶۸dB و IIP3 برابر با ۴dBm – می باشند. این مدار در ولتاژ منبع تغذیه ی ۰/۷V کار می کند و توان مصرفی آن فقط ۲۱۷w است.