سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

اصغر شاهسوندی – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محمود آل شمس – عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
حاتم محمدی کامروا – عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

چکیده:

در این مقاله طراحی یک ضرب کننده چهار ربعی ولتاژ مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای CMOS که در ناحیه اشباع کار می کنند ارائه می گردد. این ضرب کننده با استفاده از روش سلول گیلبرت عمل ضرف کنندگی را انجام می دهد و با استفاده از یک روش خاص قابلیت ضرب ک نندگی در فرکانس های حدود یک صد گیگاهرتز را دارد. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی ۰٫۱۸µm شبیه سازی شده است. همچنین مدار پیشنهاد شده می تواند به عنوان دو برابر کننده فرکانس مورد استفاده قرار بگیرد. بر طبق نتایج شبیه سازی که در ولتاژ تغذیه ۰٫۵ ولت انجام شده است ورودی ها با رنجی معادل ۵mv می باشند. همچنین میزان توان مصرفی به کمتر از ۵۸۰µW رسیده است. مدار دارای پاسخ فرکانسی ۲۳۰ گیگاهرتز می باشد.