سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

علی رضائی – دانشگاه تفرش
مهدی جعفری پناه – دانشگاه تفرش

چکیده:

در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی مد ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهایCMOS بایاس شده در ناحیه اهمی و اشباع ارائه شده است. عمده پیشرفت این ضرب کننده کاهش توان مصرفی، افزایش رنج ورودی و افزایش پهنای باند میباشد. این ضرب کننده بصورت کاملاًCMOSپیادهسازی شده که با تکنولوژی دیجیتال سازگار میباشد. این مدار با تکنولوژی ۰/۱۸μm طراحی و با نرم افزارHspice و ولتاژ تغذیه ۱/۲ شبیه سازی شده است. نتایج شبیهسازی بیانگر کاهش توان مصرفی، کاهشTHD و زیاد بودن پهنای باند میباشد که این ساختار را برای کاربردهای مختلف در سیستمهای آنالوگ مناسب مینماید