سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

علی بهاری – دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک
اعظم رضائیان – دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
توفیق اوسطی – دانشگاه رازی- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک

چکیده:

چنانچه بخواهیم از ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا در مقیاس کمتر از ۰۱۱ نانو متر استفاده کنیم نیاز به گیتی با ثابت دی الکتریک بالا داریم در این مقاله با روش پراش پرتو ایکسXRD(پرتو مادون قرمز تبدیلات فوریهFTIR( ومیکروسکوپ نیروی اتمیAFM به شناسایی ویژگی های نانو بلورکCuO به عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک پرداختیم. نتایج نشان می دهد اکسید مس به دلیل بالا بودن ثابت دی الکتریک، دارا بودن پایداری شیمیایی، خاصیت آموروف کنندگی بالا، باعث تولید فونون های اپتیکی و افزایش تحرک می شود