سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدرضا رخشانی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
طاهره فنایی شیخ الاسلامی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران
بهمن نباتی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان،ایران
محمدعلی منصوری بیرجندی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

چکیده:

سلولهای خورشدی NIP بدلیل سادگی طراحی و بازده بالا همچنان بعنوان پرکاربردترین نوع این سلول ها مورد مطالعه وسیع قرار می گیرند. در این مقاله این نوع سلول با بکارگیری ژرمانید سیلیسیم آمورف نوع n برای لایه امیتروسیلیسیم آموف برای ناحیه میانی بر روی سیلیسیم کریستالی نوع P طراحی و شبیه سازی شده است. خواص الکتریکی این سلول با استفاده از نمودارهای جریان- ولتاژ در حالت تاریکی و با اعمال نور محاسبه شده و همچنین نمودارهای بازده کوانتومی داخلی و خارجی و نمودار پاسخ طیفی برای این سلول رسم شده و مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی بیانگر خمیدگی باندهای انرژی لایه ذاتی میانی و کشیدگی سد پتانسیل در تمام ناحیه میانی بین دو نیمه هادی نوع n و p می باشد. مقادیر جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز این سلول بترتیب (فرمول در متن اصلی) در دمای ۳۰۰K محاسبه شده است. همچنین محاسبات انجام شده نشان می دهد که سلول مورد نظر دارای بازده ۲۴/۴% می باشد که با ۶۱/۸۷% = FF بدست آمده است.