سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

تارا افرا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران
ماندانا دانش – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب، تهران، ایران
مرتضی فتحی پور – دانشگاه تهران، تهران، ایران

چکیده:

طراحی معمول سوئیچ های نیمه هادی توان بالای نانو ثانیه ای، بر اساس تولید موج یونیزاسیون برخوردی سریع (FIIF) در ساختار های ۳ لایه و ۴ لایه (+)P(+) n n و (+)P(+) P n n با اعمال پالس ولتاژ بالا، و زمان صعود نانو ثانیه ای صورت می گیرد و سریعترین روش تولید پلاسمای الکترون و حفره و پالس جریان بسیار بال در سوئیچ های نیمه هادی می باشد. با اعمال پالس ولتاژ سریع، که توسط سوئیچ های نیمه هادی باز شونده تولید می شود، سوئیچ نیمه هادی (FIIF) در مد ت چند نانو ثانیه، از حالت هدایت ضعیف به هدایت بسیار بالا می رود. در این مقاله، به کمک نرم افزار شبیه سازی سیلواکو به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار داینیستور (+)P(+) P n n بر اثر مکانیزم موج یونیزاسیون بر خوردی سریع می پردازیم.