سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی تائب جولا – دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
احسان عیدیان – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد سروش – استادیار گروه الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله سرعت حرکت الکترون به ازای میدان های الکتریکی مختلف در نیمه رسانای GaAs به روش شبیه سازی مونت کارلو شبیه سازی می شود. برای شبیه سازی مسیر حرکت الکترونها، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها مانند فونوتهای نوری و آکوسیتیکی و ناخالصی های یونیزه را در نظر می گیریم. در این مقاله از یک مدل دو دره ای و روش تک ذره ای استفاده می کنیم و میانگین سرعت الکترونها بر حسب شدت میدانهای الکتریکی مختلف را محاصبه می کنیم و با داده های معتبر مقایسه می کنیم. در این شبیه سازی توانسته ایم انتقال بین دره ای و قله سرعت الکترونها را شبیه سازی کنیم.