سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

آزاده میرعباسی – دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، تهر
علیرضا نیک فرجام – دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران،
داود فتحی – دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر،

چکیده:

سولفید کادمیوم نیمه هادی گروه II–VI با شکاف باند مستقیم و برابر eV 4/24 در حالت توده می باشد. این ماده در تولید ادوات اپتوالکترونیکی کاربرد فراوان داشته و امروزه به دلیل زمانبر بودن و هزینه های بالای روشهای آزمایشگاهی، شبیه سازی خواص الکترونیکی نانو ساختارهای این ماده مورد توجهمی باشد. در این مقاله شبیه سازی خواص الکترونیکی نانو ساختار نیمه هادی سولفید کادمیوم با روش تنگ بست انجام گرفته و در آن از پارامترهای SK استفاده شده است. شکاف باند در اندازه های مختلف محاسبه و با گزارشات تجربی مقایسه گردید بعلاوه نشان داده شد که افزایش اندازه در محاسبات صورت گرفته از اثر اندازه کوانتومی پیروی می کند