سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین همایش بین المللی و ششمین همایش مشترک انجمن مهندسی متالورژی ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

خدیجه مصطفوی – کارشناسی ارشد ، گروه فیزیک، دانشگاه زنجان
رضا رسولی – استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه زنجان
جمال داودی – استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه زنجان

چکیده:

در این مقاله اثر دما و چگالی شار ورودی ات مهای کربن در فرایند رشد گرافین به روش دینامیک مولکولی ارائه شده است.به این منظور رشد گرافین به روش رسوب بخار شیمیایی روی سطح( ۱۰۰ ) نیکل مورد بررسی قرار گرفت. محاسبات دینامیک مولکولی با به کارگیری پتانسیل های EAM , Airebo و پتانسیل لنارد- جونز انجام گردید. دمای زیرلای هی نیکل ۱۲۰۰ کلوین انتخاب گردید و اثر دمای شار ورودی ات مهای کربن در شکل گیری ساختار گرافین بررسی شد. نتایج نشان داد که در دمای ۵۰۰۰ کلوین نقص های موجود در گرافین کمتر م یشود و کاهش چگالی شار ورودی به بهبود کیفیت گرافین تولید شده منجر م یشود