سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

معصومه احمدیان – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
علیرضا حسنی – کارشناس برق قدرت دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

چکیده:

در طول سلهای زیادی تنها عناصر فعال (پسیو) که شامل مقاومت و سلف و خازن بودند شناخته شده بود. در سال ۱۹۷۱ لئون چائو با استفاده از استدلال ثابت کرد که عنصر غیر فعال دیگری که نام آن ممریستور است وجود دارد. پس از ۳۷ سال پژوهشگران شرکت HP قادر به ساخت اولین ممریستور شدند و جامعه الکترونیک را شگفت زده کردند. چاو ثابت کرد که ویژگیهای ممریستور را با استفاده از مقاومت و سلف و خازن نمی توان شبیه سازی کرد و از این رو یک عنصر بنیادی است. بسیاری از مدارهای جدید با استفاده از ممریستور می توانند ساخته شوند. ممریستور می تواند سطوح مقاومتی داشته باشد، بنابراین می توان از تعدادی مقادیر گسسته به عنوان سطح منطقی متفاوت به عنوان سیستمهای چند متغیره استفاده کرد. در این مقاله روشی برای دستیابی به سطوح مختلف نشان داده شده است. با استفاده از این روش می توان آرایه ای از ممریستور را برای ساخت سیستم ذخیره سازی داده های چند متغیره استفاده کرد.