سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

معصومه احمدیان – دانشجوی کارشناسی ارشد
علیرضا حسنی – کارشناس برق قدرت

چکیده:

درطول سالهای زیادی تنها عناصرفعال پسیو که شامل مقاومت و سلف و خازن بودند شناخته شده بود درسال ۱۹۷۱ لئون چائو با استفاده از استدلال ثابت کرد که عنصرغیرفعال دیگری که نام آن ممریستور است وجود دارد پس از ۳۷سال پژوهشگران شرکت HP قادربه ساخت اولین ممرستور شدندو جامعه الکترونیک را شگفت زده کردند چاو ثابت کرد که ویژگیهای ممریستور را با استفاده از مقاومت و سلف وخازن نمی توان شبیه سازی کرد و از این رو یک عنصربنیادی است بسیاری از مدارهای جدیدبا استفاده از ممریستور میتوانند ساخته شوند ممریستور می تواند سطوح مقاومتی داشته باشد بنابراین میتوان از تعدادی مقادیر گسسته به عنوان سطح منطقی متفاوت به عنوان سیستمهای چندمتغیره استفاده کرد دراین مقاله روشی برای دستیابی به سطوح مختلف نشان داده شده است با استفاده از این روش می توان آرایه ای از ممریستور را برای ساخت سیستم ذخیره سازی داده های چندمتغیره استفاده کرد.