سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

بهار دستداران – دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری-
خدیجه تقوی – دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک
علی بهاری – دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک

چکیده:

سنتز نانوکامپوزیتNiO/SiO2به روش سادهی سل- ژل انجام گرفت. از تکنیکهای FTIR و SEM ،XRD برای تعیین ساختار فاز، ریختشناسی سطح و بررسی پیوندهای شیمیایی این نانوکامپوزیت استفاده شده است. اندازهی نانوذرات، به روشX-Powder بر مبنای رابطهی دبای- شرر( و کرنش شبکه به وسیلهی معادله ویلیامسون- هال بهدست آمده است. نتایج حاصل نشان دادهاند که نانوکامپوزیت سنتز شده تا دمای حدود ۱۱۱۱ درجه سانتیگراد دارای ساختاری عاری از شکاف، درز و حفره میباشد و این دلیلی برای کاهش شدید جریانهای نشتی و تونلی و همچنین افزایش استحکام ساختاریماده است. در نهایت نانوکامپوزیت سنتز شده در این آزمایش مادهای مناسب برای کاربرد در صنایع نانوالکترونیک شامل ساخت گیت ترانزیستور و محفظههای فراخلاء میباشد