سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

چنور محمدی – دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک اتمی مولکولی
هاله کنگرلو – عضو هیئت علمی دانشگاه ارومیه

چکیده:

لایه نشانیZnS/glassدر شرایط خلاء بالا توسط دستگاه تبخیر حرارتی و تبخیر توسط باریکه الکترون در بهترین شرایط آزمایشگاهی انجام شده و زاویه انباشت ایده آل وعمود انتخاب شده است. دمای انباشت ذرات۱۰۰ZnSدرجه سلسیوس می باشد. ضخامت لایه ZnS80nmمی باشد و نانو ساختار و طیف نوری ZnS /glass مورد بررسی قرار می دهیم برای این کار نمونه تهیه شده از روشهای آنالیزی میکروسکوپ نیروی اتمیAFM) و طیف سنج نوری (spectrophotometerو پراش اشعهXRD) X قرار گرفت،