سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمدمهدی کارخانه جی –
شقایق گمار – دانشگاه رازی کرمانشاه ،دانشکده فنی مهندسی
الهه اسکندری –

چکیده:

کاربرد نیمه هادی ها در زندگی امروزه حقیقتی غیر قابل انکار است .از این میان به دلیل افزایش تقاضا کاربردهای با پهنای باند بالا رو به افزون است.از این رو نیمه رساناهای با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیارمورد توجه طراحان قرار گرفته است.از جمله این کاربردها فرستنده های مایکروویوی ارتباطات ورادار هستند. به نظر می رسدGaN به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد نوید بخش باشد.در این نوشتار به ساختار ،کاربرد وچالش های پیش روی این نیمه هادی پر کاربرد پرداخته شده است