سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

حمیدرضا مقامی – دانشگاه تهران
شاهین جعفرآبادی آشتیانی –

چکیده:

دراین مقاله یک بلوک transconductor خطی و قابل تنظیم جدید معرفی شده است درطرح پیشنهادی با ایجاد ولتاژ بایاس مناسب توسط یک مدارجانبی خطسانی بلوک Gm ارایه شده بخوبی بهبود پیدا کرده است شبیه سازی های این مدار درتکنولوژی μm0/18 و ولتاژ تغذیه ۱/۸V انجام شده است مقدار بهره جریان به ولتاژ این جریان از ۱۰۰ تا ۷۱۴μA/V قابلتنظیم است شبیه سازی های صورت گرفته نشان میدهد که مقدار THD ولتاژ خروجی درتمامی م حدوده ی تنظیم و تمامی گوشه ها و شرایط دمایی کمتر از ۶۰-dB است لازم به ذکر است که این نتایج بازای سوئینگ ورودی خروجی ۱Vp-p و درفرکانس ۱۰MHz بدست آمده اند توان متوسط بلوک ارایه شده درحدود ۱mW است.