سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

عبدالحسین ساعدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، گروه برق و الکترونیک، ، بوشهر،
رامین یوسفی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد مسجد سلیمان، گروه فیزیک، مسجد سلیمان،
فرید جمالی شینی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهواز، گروه فیزیک، اهواز
محسن چراغی زاده – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، گروه برق و الکترونیک، ، بوشهر،

چکیده:

قطبیت یونها در کریستالZnOکه دارای ساختارwurtzite تقارن غیرمرکزی می باشد عامل ایجاد یک انرژی پتانسیل پیزوالکتریکی در کریستال با اعمال فشار می شود.وابستگی همزمان این پتانسیل به ویژگیهای خواص پیزوالکتریکی و نیمه هادی ها باعث میشود که انرژی ایجادشده در کریستال، تاثیر زیادی بر روی انتقال حامل در محل اتصال داشته باشد. وجود بارهای پیزوالکتریکی محلی در پیوند می تواند به مقدار زیادی بررفتار حامل های بار و ویژگیهای اپتوالکترونیکی تاثیرگزار باشد. پیزوترونیک به افزاره هایی می پردازد که با بکارگیری انرژی پتانسیل پیزوالکترونیک )پیزوپتانسیل(به عنوان ولتاژ گیت برای کنترل یا تنظیم بر تولید، انتقال، جداسازی و بازترکیب حاملهای بار در محل پیوند ساخته می شوند. در این مقاله به بررسی اثر پیزوفوتوترونیک، افزاره های مرتبط با آن و کاربردهای بالقوه آن در ساخت سلول های نوری و آشکار سازهای نوری می پردازیم