سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

احسان احمدیان – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش – عضو هیئت علمی دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

دی این مقاله افزاره ای از جنس GaAs و ساختار (+)n (+)-i- n را در نظر می گیریم و معادله انتقال بولترمن را با روش مونت کارلو حل می کنیم. در این شبیه سازی حامل های اکثریت یعنی الکترون ها را در نظر می گیریم. برای حرکت الکترون ها دو دره در نظر می گیریم و پراکندگی ناشی از ناخالصی و فونون را لحاظ می کنیم. توزیع انرژی، سرعت، غلظت الکترون ها و پتانسیل الکتریکی در این افزاره را محاسبه می کنیم و نتایج بدست آمده را با یک حل عددی معتبر مقایسه می کنیم. نتایج شبیه سازی انتقال از دره T به L به ازای میدان های قوی و همراه با کاهش انرژی الکترون ها نشان می دهد.