سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

فریده اکرمی مقدم – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش – استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله معادله بولتزمن درGaAs را با استفاده از مدل رانش- نفوذ به صورت عددی حل میکنیم. ابتدا روابط حاکم در افزاره را با کمک روش تفاضل محدود گسسته می- کنیم. سپس به ازای تابش و جذب نور در افزاره و با کمک روش نیوتن- رافسون توزیعحاملهای الکتریکی و پتانسیل الکتریکی را محاسبه میکنیم. این توزیعها پایه و اساس کارکرد افزارههای نیمههادی هستند و برای محاسبه پارامترهای مختلف مانند جریان الکتریکی بکار میروند