سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

بهنام درستکار – دانشگاه تربیت معلم سبزوار
حسین شاهمرادی –
جواد حدادنیا –
مجید بقایی نژاد –

چکیده:

دراین مقاله یک تقویت کننده با نویز پایین Low noise amplifier با استفاده از تکنولوژی ۰٫۱۸μm CMOS در توپولوژی گیت مشترک و در باند فرکانس ۳ -۱۰ GHz ( Ultra wide band ( مورد بررسی قرارگرفته است دراین طرح توسط یک طبقه کاسکود و انتخاب بهینه مقادیر المان ها گین مدار را افزایش می دهیم نتایج شبیه سازی درنرم افزار ADS ( Advance design system مقدار گین S21 ، و ۱۹تا ۲۳ دسی بل ماکزیمم نویز فیگر NF برابر ۳/۷ دسی بل و مچینگ ورودی S11 کمتر از -۱۷ دسی بل کهمطلوب می باشد را نشان میدهد به منظور کاهش توان مصرفی تغذیه مدار ۱ ولت انتخاب شده است که توان مصرفی مدار برابر ۶٫۲۶ میلی وات می باشد.