مقاله تعیین دقت ثبت ایمپلنت و جزئیات سطحی با استفاده از پلی اتر و پلی وینیل سایلوکسان با روش تری بسته که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان ۱۳۹۲ در مجله دندانپزشکی (دانشگاه علوم پزشکی تهران) از صفحه ۲۴۳ تا ۲۵۰ منتشر شده است.
نام: تعیین دقت ثبت ایمپلنت و جزئیات سطحی با استفاده از پلی اتر و پلی وینیل سایلوکسان با روش تری بسته
این مقاله دارای ۸ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ایمپلنت
مقاله تکنیک های قالب گیری
مقاله مواد قالب گیری

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: علی خاصی مرضیه
جناب آقای / سرکار خانم: سیادت حکیمه
جناب آقای / سرکار خانم: بیابانکی الهه

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
زمینه و هدف: تهیه قالب های دقیق از دندان های تراش خورده، در شرایطی که در مجاور ایمپلنت های دندانی هستند، حائز اهمیت است. در این شرایط، عدم توجه در انتخاب ماده و روش قالب گیری مناسب، نه تنها می تواند در انتقال موقعیت سه بعدی ایمپلنت تاثیرگذار باشد، بلکه ثبت دقیق دندان را نیز می تواند به مخاطره بیاندازد. در تحقیق حاضر دقت دو ماده قالب گیری با استفاده از ترانسفر قالب گیری مخروطی در ثبت موقعیت ایمپلنت و جزئیات سطح بررسی شد.
روش بررسی: یک مدل مرجع فلزی دارای ۲ ایمپلنت (Implantium) به همراه تراش سه شیار بر سطح یک دندان طبق استاندارد شماره ADA19، ساخته شد. ۱۰ قالب پلی اتر (PE) با قوام متوسط با تری اختصاصی و ۱۰ قالب پوتی واش پلی وینیل سایلوکسان (PVS) با تری پیش ساخته با استفاده از ترانسفرهای قالب گیری مخروطی تهیه شد. قالب ها با گچ ADA نوع ۴ ریخته شد. دقت قالب گیری به وسیله ارزیابی جابه جایی سر آنالوگ ایمپلنت ها در محورهای x و y و جابه جایی زاویه ای، با استفاده از Coordinate Measuring Machine (CMM) و نیز دقت بازسازی شیارها با استفاده از Video Measuring Machine اندازه گیری شد. این اندازه گیری ها با مقادیر حاصل از مدل مرجع مقایسه شد. داده ها توسط آنالیز One-way ANOVA و T-test آنالیز شد.
یافته ها: پوتی واش PVS جابه جایی خطی کمتری نسبت به مدل مرجع داشت (P<0.001). اختلاف معنی داری در بازسازی جزئیات سطحی وجود نداشت (P=0.15).
نتیجه گیری: پوتی واش PVS جابه جایی خطی کمتری نسبت به PE با قوام متوسط داشت. تفاوت معنی داری ازنظر بازسازی جزئیات سطحی بین دو ماده قالب گیری، وجود نداشت.