سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حمیده گدازگر – دانشگاه تربیت مدرس
محمدکاظم مروج فرشی – دانشگاه تربیت مدرس
مرتضی فتحی پور – دانشگاه تهران،

چکیده:

برای کاهش احتمال تونل زنی نوار به نوار – ۱ ، یک ترانزیستور آی ماس ۲ با ساختار نوار ۳ پلکانی ۴ ناهمگون ۵ ارائه شده است. بهره گیری ازمهندسی شکاف انرژی در این ساختار باعث کاهش V 2/2 در ولتاژ شکست ترانزیستور نسبت به آی ماس Si و SiGe شده است. از آن جا که ماده ی با شکاف انرژی بزرگتر در سمت سورس قرار دارد، جریان خاموش آن ده مرتبه کمتر است