سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: چهارمین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و جامعه علمی ریخته گری ایران

تعداد صفحات: ۱۰

نویسنده(ها):

سید مهدی جان جان – عضو باشگاه پژوهشگران جوان واحد ابهر ، دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر
فرزاد نصیرپوری – استادیار، دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی سهند تبریز

چکیده:

رسوب دهی لایه های نازکدر طول یکقرن گذشته موضوع بسیاری از تحقیقات و مطالعات بوده است. کنترل دقیق روی نشست الکتروشیمیایی نیازمند داشتن اطلاعات کافی در مورد جوانه زنی و رشد لایه هایی است که می توانند بوسیله تکتینک های لایه نشانی مطالعه شوند. در این تحقیق، ما تأثیر PH را بر روی جوانه زنی و رشد نیکل از حمام های وات با PH مختلف بر روی (۱۱۱) Si+n مورد مطالعه قرار داده ایم. نتایج ولتامتری سیکلی و جریان گذرا ثبت شده در طی لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل روی (۱۱۱) Si+n برای ارزیای نشست الکتروشیمیایی نیکل استفاده شده است. نتایج نشان دادند که نیکل از پتانسیل اسمی ۰٫۷V- شروع به رشد بر روی (۱۱۱) Si+n می کند. با افزایش سرعت جاروب، منحنی های ولتامتری سیکلی باعث انتقال پیک های احیای نیکل به سمت مقادیر منفی تر می شوند. نتایج نشان دادند که با کاهش PH، جوانه زنی با سرعت بیشتری صورت گرفته، در نتیجه جوانه های ریز کمتر از ۱۰۰nm بدست آمده است. ما منحنی های بدون بعد را برطبق تئوری شریفکر- هیلز رسم کرده ایم و یک مکانیزم جوانه زنی و رشد آنی برای نیکل بر روی (۱۱۱) Si+n بر اساس شرایط این آزمایش برآورد کرده ایم.