سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی فتحی پور – دانشگاه تهران
فواد یزدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
احمد تقی نیا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

چکیده:

در این مقاله ابتدا به بررسی تأثر ی ضخامت بیس و امی ر ت یک سلول خورشیدی In0.2Ga0.8N می پرداز م ی و ضخامت مناسب را برای رسیدن ه ب بازدهی بیشینه سلول خورشیدی بدست می آور م ی. سپس لایه پنجره و میدان سطح پشتی In0.017Ga0.983N به سلول اضافه می گردد و اثر آن را بروی عملکرد سلول مطالعه می نماییم. در نهایت مقایسه ای بین دو وضعیت فوق الاشاره ارایه می گردد