سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

سعید اصغرشرقی بنا – مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
حمید پاشایی عدل – دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
سعید آخسمه – مرکز فنی مهندسی نیروگاه تبریز

چکیده:

دراین مقاله با توجه به کاربرد لایه های شبه الماسی DLC در صنعت و بخصوص در الکترونیک و ساخت دیودها و ترانزیستورها خواص این لایه ها مورد توجه و بررسی قرارگرفته است بدین منظور در آزمایش انجام یافته رسوب نشانی لایه های کربن شبه الماس در دو حالت متفاوت از لحاظ کیفیت و سرعت رسوب نشانی مورد بررسی و مقایسه قرارگرفته است در روند آزمایش از یک میدان مغناطیسی عمود بر میدان الکتریکی در یک سیستم رسوب نشانی بخار شیمیایی با پلاسمای افزایشی MPECVD( که به منبع رادیوفرکانسی RF متصل شده است استفاده می شود نکته قابل توجه این است که بیشتر ترازهای یونیزاسیونی که در سیستم حاصل می شوند در ولتاژ های بسیار پایین شبکه خودکار و سرعت رسوب نشانی بالا رخ میدهند.