سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

عبدالشکور ریگی تمندانی – دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
جواد احمدی شکوه – دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان
سعید توکلی افشاری – دانشکده مهندسی برق، دانشگاه سیستان و بلوچستان

چکیده:

در این مقاله روشی برای افزایش پهنای باند ساختارهای فرامواد ارائه شده است. ساختارهای فرامواد استفاده شده در این تحقیق بر اساس Split Ring Resonators (SRR) هستند که جزو شناخته شده ترین ساختارهای برای تحقق فرامواد با ضریب گذردهی مغناطیسی منفی می باشند. در اینجا به منظور افزایش پهنای باند با استفاده از چرخش رینگ داخلی SRR با زوایای مختلف در یک ساختار ترکیبی، که در اینجا سلول واحد نامیده می شود، استفاده شده است. علاوه بر این، تأثیر نحوه چیدمان SRRها در سلول واحد بر روی پهنای باند در این تحقیق بررسی شده است.