سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

عبدالنبی کوثریان – گروه مهندسی برق دانشگاه شهید چمران اهواز، پژوهشکده آب و انرژی جندی ش
نوشین رحمانی فرد –
پرند امیری – گروه مهندسی برق دانشگاه رازی کرمانشاه

چکیده:

در یک سلول خورشیدی فراپیوندCdS/CdTe الکترونهای تولید شده نوری در ناحیه خنثی لایه جاذبCdTe که در فاصله یک طول پخش از لبه ناحیه گذر باشند بطور موثری توسط میدان ناحیه تخلیه جداسازی میشوند . دریفت این حاملها از روی ناحیه تخلیه منجر بهایجاد جریان در مدار خارجی میگردد. با بهبود خاصیت کریستالی لایه جاذب، میتوان طول عمر حاملها و به دنبال آن طول پخش الکترونها را افزایش داد. به این ترتیب حاملهایالکتریکی موثر افزایش خواهند یافت و پارامترهای اصلی سلول از جمله بازده تبدیل سلول بهبود پیدا خواهند کرد. از سوی دیگر، با افزایش طول عمر حاملهای اقلیت الکترونیاحتمال بازترکیب سطحی آنها در اتصال پشتی قطعه افزایش مییابد و منجر به افت پارامترهای سلول از حداکثر مقدار ممکن میشود. در این مقاله نشان خواهیم داد که درکنار افزایش طول عمر حاملها در لایهCdTe باید ضخامت این لایه را نیز به نحوی افزایشداد تا حاملهای موثر از انتهای قطعه فاصله بگیرند و از بازترکیب آنها جلوگیری به عمل آید. به این ترتیب بازده تبدیل سلول و قیمت تمام شده آن با یکدیگر مورد مصالحه واقع میشوند