سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

عبدالنبی کوثریان – دانشگاه شهید چمران اهواز
فاطمه تحویل زاده – دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله روشی برای کاهش بازترکیب در فصل مشترک جاذب/ اتصال پشتی سلولهایCIGSارائه شده است. یک سد حامل در فصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی، میتواندالکترونها را به جاذب سوق دهد و مانع بازترکیب آنها در اتصال پشتی سلول شود. این سدمیتواند به روشهای متفاوتی در ساختار سلولCIGSگنجانده شود. در این کار برای اولینبار برای یک سلولCIGSاثر اضافه کردن یک لایه با چگالی ناخالصی بالا در فصل مشترک جاذب/اتصال پشتی بررسی شده است و اثر تغییر ناخالصی لایهp و  p ضخامت مختلف سلول مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت راهکاری برای افزایش بازده سلول ارائهگردیده است