سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سارا صداقت – دانشگاه علوم و تحقیقات خوزستان، سه راه فرودگاه
محمود براتی – بخش فیزیک دانشگاه شیراز، چهارراه ادبیات
ایرج کاظمی نژاد – دانشکده فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله گذار نیمرسانا- فلز در سیستمهای نیمرسانا با ابعاد نانو با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر مورد بررسی قرار میگیرد. هامیلتونین سیستم باحضوریک ناخاصی بخشنده در مرکز یک نقطه کوانتمی مکعبی و همچنین در موردی که ناخالصی بطور تصادفی در داخل مکعب توزیع شده است را نوشته و با استفاده از یک تابع موج آزمایشی مناسب، انرژی حالت پایه و انرژی یونیزاسیون الکترون را برایGaAs /GaAlAs از روش عددی محاسبه مینمائیم. نتایج نشان میدهد که انرژی یونیزاسیون در هر دو مورد شدیدا به ابعاد نقطه بستگی داشته و با افزایش ابعاد کاهش مییابد.