سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

شادی بشیری –
رضوان حاجی هاشمی –
محمدرضا بنام –
محمدمهدی باقری محققی –

چکیده:

در این تحقیق لایه های نازک و شفاف دی اکسید قلع SnO2به روش رسوب بخار شیمیایی APCVD) در دمای پایین بر روی زیر لایه شیشه تهیه شده اندمقایسه خواص ساختاری و الکتریکی و فوتو رسانایی لایه ی نازک و شفاف و رسانای اکسید قلع تهیه شده در دو سمت یک نمونه مورد مطالعه قرار گرفت. نمونه انتخاب شده در دمای پایین ۹۳۳ درجه سانتیگراد بر روی زیر لایه ی شیشه ای تهیه شده و دارای شفافیت در حدود ۵۷ % از روی طیف عبوری می باشد. با استفاده از تکنیک های پراش سنجی اشعه ایکسXRD) خواص ساختاری و اندازه بلورک ها بررسی و محاسبه شد